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深圳市金城微零件有限公司
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产品分类
- 快/超快/特快恢复二极管(17)
- 肖特基二极管(40)
- 功率三极管(6)
- 开关三极管(54)
- 复合(达林顿)三极管(18)
- 光电光耦合器(光耦)(3)
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产品信息
SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点：
* 2.5V驱动器
* 低导通电阻：RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
：RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V)
：RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V
产品型号:SSM6K411TU
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1.2
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):710 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):23 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K411TU,20V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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